好意思国华东谈主冲突半导体制备工艺限度麻省理工的华侨征询东谈主员朱佳迪,使用低温化学气相千里积法,在低于300℃的环境下,冲突了大限度制备MoS2单层薄膜的工艺,这种工艺不需要高端光刻缔造。诈欺超薄二维材料进行晶体管的密集堆叠,是冲突硅基芯片制程极限的旅途之一。以往要将二维材料堆叠在CMOS晶圆上,需要较高的环境温度澳门电子游戏,会损坏硅晶体管和电路。朱佳迪和征询团队冲突了限度化工艺的限度。朱佳迪(Jiadi Zhu)仅有24岁,另一位论文共同作家麻省理工的博士后Ji-Hoon Park是韩裔,新2官网平台通信作家Jing Kong亦然华侨。华侨、韩裔合作杀青半导体材料和工艺的冲突。
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